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齐瑞娟

职称:

直属机构: 5357cc拉斯维加斯

学科:

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相关教师

个人资料

  • 部门: 5357cc拉斯维加斯
  • 性别:
  • 专业技术职务: 电镜中心常务副主任
  • 毕业院校: 上海微系统与信息技术研究所
  • 学位: 博士
  • 学历: 博士
  • 联系电话: 13818464331
  • 电子邮箱: rjqi@ee.ecnu.edu.cn
  • 办公地址: 生科辅楼202
  • 通讯地址: 东川路500号
  • 邮编: 200241
  • 传真:

教育经历

教育经历

2021/09–2024/06,中科院上海微系统与信息技术研究所,博士,导师:宋志棠研究员

2003/09–2006/07,中科院上海硅酸盐研究所,硕士,导师:朱英杰研究员

1999/09–2003/07,郑州大学,材料学院材料工程系,学士



工作经历

科研与学术工作经历

2024-1至今, 5357cc拉斯维加斯, 公共创新服务平台电镜中心常务副主任

2020-1至今, 5357cc拉斯维加斯, 5357cc拉斯维加斯, 高级工程师

2013-112019-12, 5357cc拉斯维加斯, 5357cc拉斯维加斯, 工程师

2008-12013-11, 中芯国际集成电路制造有限公司, 失效分析, 工程师

2006-112007-12, 香港中文大学, 物理系, 研究助理

2006-72006-10, 纳米技术及应用国家工程研究中心, 研发部门, 工程师





个人简介

教育经历

2021/09–2024/06,中科院上海微系统与信息技术研究所,博士,导师:宋志棠研究员

2003/09–2006/07,中科院上海硅酸盐研究所,硕士,导师:朱英杰研究员

1999/09–2003/07,郑州大学,材料学院材料工程系,学士

科研与学术工作经历

2024-1至今, 5357cc拉斯维加斯, 公共创新服务平台电镜中心常务副主任

2020-1至今, 5357cc拉斯维加斯, 5357cc拉斯维加斯, 高级工程师

2013-112019-12, 5357cc拉斯维加斯, 5357cc拉斯维加斯, 工程师

2008-12013-11, 中芯国际集成电路制造有限公司, 失效分析, 工程师

2006-112007-12, 香港中文大学, 物理系, 研究助理

2006-72006-10, 纳米技术及应用国家工程研究中心, 研发部门, 工程师




社会兼职

研究方向

电子显微学

原位电镜技术

二维材料构效关系研究

1. 二维滑移铁电极化翻转动力学的原位透射电镜研究


2 掺杂调控二维InSe半导体的光学、电学性质研究





招生与培养

开授课程

科研项目

学术成果

近三年发表代表性论文:

1.       Atomic-level polarization reversal in sliding ferroelectric semiconductors. Sui, F. #, Li, H, Qi, R.*, Jin, M. *, Lv, Z., Wu, M., Zheng, Y., Liu, B., Ge, R., Wu, Y.-N*., Huang, R., Yue, F. *, Chu, J., Duan, C. Nat. Commun. 2024, 15, 3799 (Featured paper).

2.       Sliding ferroelectricity in van der Waals layered γ-InSe semiconductor. Sui, F. #, Jin, M., Zhang, Y., Qi, R.*, Wu, Y.-N., Huang, R., Yue, F. *, Chu, J., Nat. Commun. 2023, 14, 36 (High cited paper, WOS).

3.       Atomic insights into the influence of Bi doping on the optical properties of two-dimensional van der Waals layered InSe. Sui, F. #, Jin, M., Zhang, Y., Hong, J., Cheng, Y., Qi, R.*, Yue, F. *, Huang, R., J. Phys. Condens. Matter 2022, 34, 224006.

4.       Abnormal vibrational anisotropy and thermal properties of a two-dimensional GeAs semiconductor. Liu, Y., Yang, S., Sui, F., Qi, R.*, Dong, S., Yang, P., Yue, F.*, Phys. Chem. Chem. Phys. 2023, 25, 3745-3751.

5.       Anisotropy and thermal properties in GeTe semiconductor by Raman analysis. Yang, S., Sui, F., Liu, Y., Qi, R.*, Feng, X., Dong, S., Yang, P., Yue, F.*. Nanoscale, 2023, 15, 13297-13303.

6.       Niobium-doped layered cathode material for high-power and low-temperature sodium-ion batteries. Shi, Q. #, Qi, R.#, Feng, X. #, Wang, J. #, Li, Y., Yao, Z., Wang, X., Li, Q., Lu, X., Zhang, J., Zhao, Y. *, Nat. Commun. 2022, 13, 3205. (High cited paper, WOS)

7.       Microstructurally Tailored Thin beta-Ag2Se Films toward Commercial Flexible Thermoelectrics. Lei, Y.